| 纳米SiC蓝光发射的研究 |
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| 引用本文： | 刘渝珍 陆忠乾. 纳米SiC蓝光发射的研究[J]. 发光学报, 1999, 20(1): 50-54 |
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| 作者姓名： | 刘渝珍 陆忠乾 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学研究生院，中国科学技术大学，中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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| 基金项目： | 中国科技大学研究生院院长择优基金 |
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| 摘 要： | 在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究，认为纳米ＳｉＣ中与氧有关的缺陷可能是引起４７５ｎｍ蓝光发射的主要原因
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| 关 键 词： | 纳米SiC粉体，蓝色荧光，快速热退火（RTA） |
A STUDY OF BLUE EMISSION FROM NANO SiC POWDERS |
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| Liu Yuzhen Huang Yunlan a) Shi Wanquan Liu Shixiang Yao Decheng Zhang Shuyuan a) Han Yiqin. A STUDY OF BLUE EMISSION FROM NANO SiC POWDERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999, 20(1): 50-54 |
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| Authors: | Liu Yuzhen Huang Yunlan a) Shi Wanquan Liu Shixiang Yao Decheng Zhang Shuyuan a) Han Yiqin |
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| Keywords: | nanometer SiC powders blue luminescence rapid thermal annealing(RTA) |
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