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| 韩国科学技术学院采用MEMS开关成功研发预防泄漏的DRAM | |
| 摘 要： | 2007年6月10日法国里昂开幕的Transducers’07会议上，韩国科学技术学院（KAIST）宣布其采用MEMS开关研发出能消涂泄漏的DRAM。这种DRAM是KAIST与韩国三星电子公司联合研发的，论文题目为ADRAM—LikeMechanicalNon-volatileMemory。KAIST把这种元件归类为非挥发性内存。该元件在电路的构成上与DRAM基本相同，只是采用MEMS开关取代了晶体管，几乎不会泄漏电容的容量。实验证明，存储在电容器内的 |
| 关 键 词： | 韩国三星电子公司 MEMS开关 DRAM 科学技术 防泄漏 研发 学院 非挥发性 |
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