| 立方氮化硼(c-BN)薄膜生长特性研究 |
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| 引用本文： | 邱东江. 立方氮化硼(c-BN)薄膜生长特性研究[J]. 浙江大学学报(理学版), 2000, 34(4): 398-401 |
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| 作者姓名： | 邱东江 |
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| 作者单位： | 浙江大学物理系!浙江杭州310028 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金!(5 96 0 30 ) |
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| 摘 要： | 用射频等离子体增强热丝化学气相沉积（ＲＦ－ＨＦＣＶＤ）技术在Ｓｉ，Ｎｉ衬底表面合成了ｃ－ＢＮ膜，结果表明，热丝温度，衬底温度等工艺参量及衬底材料的结构特性是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素。
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| 关 键 词： | 立方氮化硼薄膜 生长特性 生长参数 RF－HFCVD |
| 修稿时间： | 1999-12-05 |
The grown character of cubic boron nitride thin films. |
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| QIU Dong|jiang. The grown character of cubic boron nitride thin films.[J]. Journal of Zhejiang University(Sciences Edition), 2000, 34(4): 398-401 |
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| Authors: | QIU Dong|jiang |
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| Abstract: | c|BN thin films were synthesized on Si and Ni substrates using the RF plasma enhanced HFCVD method. The results show that depositing parameters ,such as filament temperature and substrate temperature,and structural preperities of substrate,have very important effects on the growth of c|BN films. |
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| Keywords: | cubic boron nitride thin film RF|HFCVD depositing parameters |
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