| 退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 温战华,王立,方文卿,蒲勇,罗小平,郑畅达,戴江南,江风益.退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响[J].半导体学报,2005,26(3):498-501. |
| |
| 作者姓名： | 温战华 王立 方文卿 蒲勇 罗小平 郑畅达 戴江南 江风益 |
| |
| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜，在空气中进行了710～860℃不同温度的退火处理．用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响．ZnO（002）面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小，770℃后基本保持不变，ZnO（102）面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小．770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2（200）衍射峰．同时，光致发光测试表明，随着退火温度升高，带边发光强度减弱，与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强．通过ICP刻蚀，去除退火后样品的表面层，ω-2θ扫描曲线中ZnO2（200）衍射峰和PL谱中绿带发光均消失，表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面．
|
| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积 氧化锌 X射线双晶衍射 光致发光谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0498-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月4日 |
Influence of Annealing Temperature on Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films |
| |
| Wen Zhanhua,Wang Li,Fang Wenqing,Pu Yong,Luo Xiaoping,Zheng Changda,Dai Jiangnan,Jiang Fengyi.Influence of Annealing Temperature on Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):498-501. |
| |
| Authors: | Wen Zhanhua Wang Li Fang Wenqing Pu Yong Luo Xiaoping Zheng Changda Dai Jiangnan Jiang Fengyi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOCVD ZnO XRD PL |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
