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氧化锡纳米晶的合成与生长
引用本文:徐加荣,朱克荣,戚梦瑶,庄永龙. 氧化锡纳米晶的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 912-916
作者姓名:徐加荣  朱克荣  戚梦瑶  庄永龙
作者单位:安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039;安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039;安徽大学现代实验技术中心,合肥,230039;安徽大学现代实验技术中心,合肥,230039
基金项目:国家自然科学基金资助项目,安徽大学人才队伍建设经费资助项目 
摘    要:采用水热法制备了氧化锡纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征,并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制.结果表明:在退火温度低于500 ℃时,晶粒生长依靠着周围的非晶成分而长大,纳米晶内部无晶格缺陷;退火温度高于500 ℃时,晶粒通过相互粘结的方式而长大.晶粒之间的不完全取向粘结导致了缺陷与位错的产生.

关 键 词:氧化锡纳米晶  位错  水热法,

Synthesis and Growth of SnO2 Nanocrystal
XU Jia-rong,ZHU Ke-rong,QI Meng-yao,ZHUANG Yong-long. Synthesis and Growth of SnO2 Nanocrystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 912-916
Authors:XU Jia-rong  ZHU Ke-rong  QI Meng-yao  ZHUANG Yong-long
Abstract:
Keywords:
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