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| Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究 | |
| 作者姓名： | 郑文莉 贾全杰 姜晓明 蒋最敏 |
| 作者单位： | [1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039 |
| 摘 要： | 用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响． |
| 关 键 词： | 同步辐射X射线反射法 薄层异质结构 锗 Ge 半导体材料 表面偏析 分子束外延 晶体薄膜生长 |
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