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纳米结构产生调谐的红外发射器件
引用本文:
以光刻法制成的纳米结构可能生产用于气体分析的调谐红外传感器芯片。麻省离子光学公司和加州喷气推进实验室的研究人员报告,在~ μm的范围内,提高具有峰值线宽的发射率,直接关系到表面特性的尺寸。,研究人员用八条交叉划线的偶极子,以各种特性尺度和深度的准光子带隙结构蚀刻硅晶片。发现这种结构产生的半宽度类似用于气体传感器红外二极管的半宽度,但峰值波段中的能量更高。.纳米结构产生调谐的红外发射器件[J].激光与光电子学进展,2001(2):63.
作者姓名:
以光刻法制成的纳米结构可能生产用于气体分析的调谐红外传感器芯片。麻省离子光学公司和加州喷气推进实验室的研究人员报告,在~ μm的范围内,提高具有峰值线宽的发射率,直接关系到表面特性的尺寸。
研究人员用八条交叉划线的偶极子,以各种特性尺度和深度的准光子带隙结构蚀刻硅晶片。发现这种结构产生的半宽度类似用于气体传感器红外二极管的半宽度,但峰值波段中的能量更高。
摘 要:
以光刻法制成的纳米结构可能生产用于气体分析的调谐红外传感器芯片。麻省离子光学公司和加州喷气推进实验室的研究人员报告,在5~11 μm的范围内,提高具有峰值线宽的发射率,直接关系到表面特性的尺寸。 研究人员用八条交叉划线的偶极子,以各种特性尺度和深度的准光子带隙结构蚀刻硅晶片。发现这种结构产生的半宽度类似用于气体传感器红外二极管的半宽度,但峰值波段中的能量更高。
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