| GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征 |
| |
| 引用本文： | 罗曼琳,葛峻羽,孙文正,翟慧芳.GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征[J].化学学报,2016,74(10):839-845. |
| |
| 作者姓名： | 罗曼琳 葛峻羽 孙文正 翟慧芳 |
| |
| 作者单位： | 湖南大学物理与微电子科学学院 长沙 410082 |
| |
| 摘 要： | 采用CVD法合成GaSb纳米线，并分析生长时间对其长度的影响，随后对其进行光学表征.实验过程中，分别采用喷金法和滴金法对硅片进行预处理，再置于相同条件下制备GaSb纳米线；之后对其进行表征分析，根据扫描电子显微镜（SEM）表征结果证实，两种方法制备的纳米线都满足VLS生长机制.且发现GaSb纳米线的生长长度，可以通过改变其生长时间来进行控制.通过该纳米线的透射电子显微镜图（TEM）、X射线衍射图（XRD）等结构表征，表明该纳米线为结晶品质优良的立方闪锌矿结构；同时，从GaSb纳米线的拉曼光谱（Raman）及光致发光谱（PL）可以反映该纳米线具有优良的光学性质.由此证明，采用CVD法制得的纳米线光学性质优异，且可以实现可控制备.
|
| 关 键 词： | GaSb纳米线 可控制备 CVD法 VLS生长机制 光学性质 |
Controlled Synthesis of GaSb Nanowires Based on CVD-grown and Their Optical Characterization |
| |
| Luo Manlin,Ge Junyu,Sun Wenzheng,Zhai Huifang.Controlled Synthesis of GaSb Nanowires Based on CVD-grown and Their Optical Characterization[J].Acta Chimica Sinica,2016,74(10):839-845. |
| |
| Authors: | Luo Manlin Ge Junyu Sun Wenzheng Zhai Huifang |
| |
| Institution: | School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaSb nanowires controlled synthesis CVD technology VLS growth mechanisms optical characterization |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《化学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《化学学报》下载免费的PDF全文 |
