| 离子晶体生长机理及其生长习性 |
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| 引用本文： | 李汶军,施尔畏,殷之文.离子晶体生长机理及其生长习性[J].人工晶体学报,2001,30(3):232-241. |
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| 作者姓名： | 李汶军 施尔畏 殷之文 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.59772002,59832080) |
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| 摘 要： | 从阴、阳离子在界面上互相配位的角度介绍了一种新的微观生长机理模型,指出了生长基元进入晶格的驱动力为离子之间的静电引力,其相对大小由各界面上离子的静电键强近似测定.讨论了完好晶体(如ZnS、CsCl、PZT和PbWO4晶体)的生长习性.提出了一种新的生长习性判定法则.即当晶体生长由台阶产生速度决定时,晶体的生长习性与晶体中络合能力最小的离子在各界面上的配位数有关.在界面上离子的配位数越小,该晶面的生长速度越快.当晶体的生长速度由台阶移动速度决定时,晶体的生长习性与晶体中络合能力最小的离子在界面上的密度有关.在界面上离子的密度越小,该晶面的生长速度越快.
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| 关 键 词： | 生长机理 生长习性 水热法 |
| 文章编号： | 1000-985(2001)03-0232-10 |
| 修稿时间： | 2000年9月4日 |
Growth Mechanism and Growth Habit of Crystals |
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