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| 宽禁带化合物半导体(发光材料)体单晶生长的现状及其发展的动向 | |
| 引用本文： | 刘锡田.宽禁带化合物半导体(发光材料)体单晶生长的现状及其发展的动向[J].发光学报,1978(6). |
| 作者姓名： | 刘锡田 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究院 |
| 摘 要： | 本文介绍了国外宽禁带化合物半导体(发光材料)体单晶生长的现状和进展,以及在光器件应用方面的动态。综述范围主要有在禁带宽度允许发射近红外波长以下的发光材料,重点是可见光。另外,也介绍了某些新型发光材料,如兰色光MIS型器件所需要的发光材料等。 |
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