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电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响
引用本文:程川,高宝红,张男男,杨志欣,孙铭斌,檀柏梅.电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响[J].微纳电子技术,2014(12).
作者姓名:程川  高宝红  张男男  杨志欣  孙铭斌  檀柏梅
作者单位:河北工业大学微电子研究所;
基金项目:国家02重大专项资助项目(2009ZX02308-003)
摘    要:掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发,研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5~13 V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高;电极间距在0.5~4 cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。

关 键 词:掺硼金刚石(BDD)薄膜电极  电化学  氧化效率  电解电压  电极间距
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