| 热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响 |
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| 引用本文： | 骆英民,马剑刚,徐海阳,刘益春,钟殿强,齐秀英.热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响[J].人工晶体学报,2004,33(5):776-780. |
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| 作者姓名： | 骆英民 马剑刚 徐海阳 刘益春 钟殿强 齐秀英 |
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| 作者单位： | 东北师范大学先进光电子功能材料研究中心,长春,130024;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(No.60176003) |
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| 摘 要： | 采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.
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| 关 键 词： | ZnO:Al薄膜 电子束蒸镀 退火 VanderPauw法 光致发光谱 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)05-0776-05 |
Effect of Thermal Annealing on the Optical and Electrical Properties of ZnO:Al Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation |
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| WO Ying-min,MA Jian-gang,XU Hai-yang,LIU Yi-chun,ZHONG Dian-qiang,QI Xiu-ying.Effect of Thermal Annealing on the Optical and Electrical Properties of ZnO:Al Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(5):776-780. |
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| Authors: | WO Ying-min MA Jian-gang XU Hai-yang LIU Yi-chun ZHONG Dian-qiang QI Xiu-ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO:Al thin film electron beam evaporation annealing Van der Pauw method photolumines-cence |
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