干O_2 HCl氧化法消除硅片上的堆垛层错

本文叙述用于O_2氧化和干O_2 HCl氧化(100)晶面无位错硅片以检查HCl对堆垛层错产生的影响;Frank型(外来型)堆垛层错通过氧化产生;对于两种氧化气氛,低温氧化时缺陷尺寸随氧化温度的增高而增大,而高温氧化时缺陷尺寸则随氧化温度的增高而减小;HCl 干O_2氧化产生的缺陷尺寸明显地小;最后本文作者提出了一种引起空位从SiO_2界面流向层错缺陷以及相反的新的机理,并用它来解释堆垛层错的消除与收缩。