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Characterization of p-n junctions and surface-states on silicon devices by photoemission electron microscopy
Authors:M. Giesen  R.J. Phaneuf  E.D. Williams  T.L. Einstein  H. Ibach
Affiliation:Physics Department, University of Maryland, College Park, MD 20742-4111, USA (E-mail: m.giesen@fz-juelich.de), US
Institut für Grenzfl?chenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich, D 52425 Jülich, Germany, DE
Abstract:Received: 22 November 1996/Accepted: 17 December 1996
Keywords:PACS: 85.30   73.20   79.60
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