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| 部分耗尽SOI晶体管电离辐射损伤的物理模型 | |
| 作者姓名： | 何宝平 刘敏波 王祖军 姚志斌 黄绍艳 盛江坤 肖志刚 |
| 作者单位： | 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(11305126)资助项目 |
| 摘 要： | 从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模型可以很好地描述辐射诱导氧化层陷阱电荷和界面态与辐射剂量的关系,并从实验上对上述模型结果给予验证.结果表明,在实验采用的辐射剂量范围内,辐射诱导产生的氧化物陷阱电荷与辐射剂量满足负指数关系.模型中如果考虑空穴的退火效应,可以更好地反映高剂量辐照下的效应;辐射诱导产生的界面态与辐射剂量成正比例关系. |
| 关 键 词： | 部分耗尽SOI晶体管 总剂量 界面陷阱 氧化物陷阱电荷 |
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