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| 调制掺杂低噪声器件 | |
| 引用本文： | 王淑君,黄常胜,曹余录,王福兴.调制掺杂低噪声器件[J].微纳电子技术,1991(6). |
| 作者姓名： | 王淑君 黄常胜 曹余录 王福兴 |
| 作者单位： | 机电部13所 石家庄 050051 |
| 摘 要： | 制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。 |
| 关 键 词： | 半导体掺杂 高电子迁移率晶体管 |
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