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| 纳秒脉冲激光诱导的硅离子发射与激光能量密度的关系 | |
| 引用本文： | 刘鸿图,吴真.纳秒脉冲激光诱导的硅离子发射与激光能量密度的关系[J].中国科学技术大学学报,1996,26(3):289-294. |
| 作者姓名： | 刘鸿图 吴真 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 |
| 摘 要： | 用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究了在１９３ｎｍ脉冲激光辐照下自Ｓｉ（１００）表面上硅离子的脱附．发射硅离子动能分布的测量表明，随着激光能量的增加，将相继出现一些新的特征峰，其强度随着激光能量密度的增加而增加．在低的激光能量密度下出现在２．２，３．０，４．２和６．９ｅＶ的峰表征不同背键表面态下的电激发过程，而在较高能量密度下相继出现的特征峰分别表示硅表面上的预熔、蒸发、等离子体形成等物理过程的开始．因此，所有在动能分布曲线相继出现的特征峰可做为检验在不同激光能量的作用下，各种不同物理过程开启的判据． |
| 关 键 词： | 硅（100），激光诱导脱附 |
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