| 非制冷红外探测器多孔硅绝热层的研究 |
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| 引用本文： | 杨海波,胡明,吕宇强,甄志成,张绪瑞,张伟.非制冷红外探测器多孔硅绝热层的研究[J].微纳电子技术,2007,44(7):68-71. |
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| 作者姓名： | 杨海波 胡明 吕宇强 甄志成 张绪瑞 张伟 |
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| 作者单位： | 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（60371030） 天津市自然科学基金项目（043600811） |
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| 摘 要： | 以多孔硅作为绝热层材料，采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法，在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜。实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅，利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50%，60%，70%三个多孔硅样品的微观形貌。利用显微喇曼光谱法测量其热导率，分别为8.16，7.28和0.624W/mK；利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量，测得沉积在孔隙率为50%，60%，70%的多孔硅基底上氧化钒薄膜的显微硬度分别为1.917，0.928和0.13GPa，杨氏模量分别为31.087，16.921和2.285GPa，而沉积在单晶硅基底的氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量分别为10.919GPa和193.792GPa，并分析了微观结构差异对多孔硅绝热性能和机械性能的影响，为非制冷红外探测器的工艺制作过程提供一定的热学力学参数。
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| 关 键 词： | 非制冷红外探测器 氧化钒 多孔硅 绝热层 力学性能 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）07/08-0068-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-02 |
Study on Porous Silicon Isolation Layer in Uncooled Infrared Bolometer |
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| YANG Hai-bo,HU Ming,L Yu-qiang,ZHEN Zhi-cheng,ZHANG Xu-rui,ZHANG Wei.Study on Porous Silicon Isolation Layer in Uncooled Infrared Bolometer[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(7):68-71. |
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| Authors: | YANG Hai-bo HU Ming L Yu-qiang ZHEN Zhi-cheng ZHANG Xu-rui ZHANG Wei |
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| Institution: | School of Electronic Information Engineering, Tianj in University, Tianj in 300072, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | uncooled infrared bolometer vanadium oxide porous silicon isolation layer mechanical property |
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