| PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响 |
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| 引用本文： | 杨建军, 李俊峰, 海潮和, 韩郑生,. PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响[J]. 电子器件, 2006, 29(1): 1-4 |
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| 作者姓名： | 杨建军 李俊峰 海潮和 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化，MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE（Reactive Ion Etching）金属前PECVD-TEOS预淀积保护介质层的保护作用，实验结果表明此介质层没有起到足够的保护作用，反而会由于更长的等离子体工艺时间产生更严重的损伤问题。传统的电荷在硅片表面积累理论不足以解释此现象，本文从高能电子隧穿作用来分析此性能退化的原因。
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| 关 键 词： | 等离子损伤 保护介质层 PECVD |
| 文章编号： | 1005-9490（2006）01-0001-04 |
| 收稿时间： | 2005-06-22 |
| 修稿时间： | 2005-06-22 |
Impact of Dielectric Layer Deposited by PECVD on Performance of MOSFET |
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| YANG Jian-jun,LI Jun-feng,HAI Chao-he,Han Zheng-sheng. Impact of Dielectric Layer Deposited by PECVD on Performance of MOSFET[J]. Journal of Electron Devices, 2006, 29(1): 1-4 |
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| Authors: | YANG Jian-jun LI Jun-feng HAI Chao-he Han Zheng-sheng |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics of The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | By analyzing threshold voltage shift, transcondactance change of nMOS devices and QBD degradation on MOS capacitance under TDDB test, the dielectric layer deposited by PECVD-TEOS before etching metal with RIE was studied. Experimental results show that the dielectric layer has no actual protection on the gate oxide while causing worse damage because of longer plasma processing time. The conventional theory of charging on the surface of silicon can not explain this phenomenon, and the theory of high energy electron tunneling is used to analyze and explain this degradation. |
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| Keywords: | PECVD |
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