| 碲镉汞薄膜少子寿命测试研究 |
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| 引用本文： | 折伟林,申晨,李乾,刘铭,李达,师景霞.碲镉汞薄膜少子寿命测试研究[J].红外,2021,42(6):1-6. |
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| 作者姓名： | 折伟林 申晨 李乾 刘铭 李达 师景霞 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京100015 |
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| 摘 要： | 碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数。分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay, μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity, MDP)法对HgCdTe薄膜的少子寿命进行了研究。结果表明，随着激光功率的增强，样品的少子寿命降低；由于载流子复合机制的变化，HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势。通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性。对于HgCdTe薄膜材料来说，以上两种测试结果的面分布状况相近。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 少子寿命 微波光电导衰减法 微波探测光电导法 |
| 收稿时间： | 2021/1/21 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/1/31 0:00:00 |
Research on Minority Carrier Lifetime Measurements of HgCdTe Thin Film |
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| She Weilin,Shen Chen,Li Qian,Liu Ming,Li Da and Shi Jingxia.Research on Minority Carrier Lifetime Measurements of HgCdTe Thin Film[J].Infrared,2021,42(6):1-6. |
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| Authors: | She Weilin Shen Chen Li Qian Liu Ming Li Da and Shi Jingxia |
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| Institution: | North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe minority carrier lifetime microwave photoconductivity decay method microwave detected photoconductivity method |
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