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| 顺磁性对单晶GdBa_2Cu_3O_（6＋y）临界电流密度的影响 | |
| 作者姓名： | 覃孟军 芮瑛 吉和林 金新 姚希贤 容锡声 倪泳明 |
| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构国家实验室，中科院物理所国家超导实验室 |
| 基金项目： | 国家超导中心和南京大学分析中心资助 |
| 摘 要： | 由于单晶ＤｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ３＋离子本身固有的磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｕ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值．在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％．因而在对ＹＭＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的．这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述． |
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