| GaN中的缺陷与杂质 |
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| 引用本文： | 许小亮,施朝淑,S.Fung,C.D.Beling. GaN中的缺陷与杂质[J]. 物理学进展, 2001, 21(1): 1-11 |
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| 作者姓名： | 许小亮 施朝淑 S.Fung C.D.Beling |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学物理系,
2. 香港大学物理系, |
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| 基金项目： | 香港政府科学基金资助项目。中国科大归国人员基金和中国博士后基金委奖励基金资助项目(中博基(1999)No.17) |
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| 摘 要： | GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的研究，以及对离子注入所产生的缺陷与深能级的研究。
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| 关 键 词： | GaN 缺陷 杂质 深能级 离子注入 半导体材料 电学输运特性 发光性能 |
DEFECTS AND IMPURITIES INGaN |
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| Xu Xiaoliang,Shi Chaoshu,S.Fung,C.D.Beling. DEFECTS AND IMPURITIES INGaN[J]. Progress In Physics, 2001, 21(1): 1-11 |
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| Authors: | Xu Xiaoliang Shi Chaoshu S.Fung C.D.Beling |
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| Abstract: | GaN is a new wide band gap semiconductor laser material. The defects and impurities in GaN has very important affections on the electric transport and light emission properties of the material. The recent years theoretical and experimental researches on the defects and impurities in GaN, which include the studies of native defects and unintentional impurities, and ion implantation induced defects and deep levels, are reviewed in this paper. |
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| Keywords: | GaN defects impurities deep level |
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