首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究
引用本文:张蕾,崔碧峰,郭伟玲,王智群,沈光地.隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究[J].半导体光电,2008,29(2):177-180.
作者姓名:张蕾  崔碧峰  郭伟玲  王智群  沈光地
作者单位:北京工业大学,光电子技术实验室,北京,100022;北京跟踪与通信技术研究所,北京,100094;北京工业大学,光电子技术实验室,北京,100022
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家科技攻关计划 , 国家自然科学基金 , 北京市科委科研项目 , 北京市科委科研项目 , 北京市属市管高等学校人才强教计划
摘    要:针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布.模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高.在平行于结的方向上,温升集中在脊形电极内;在垂直于结的方向上,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度;沿腔长方向,在光反射腔面附近温度下降较快.随着注入电流的增大,两有源区的温度升高,温差变大.实验测量了不同注入电流下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合.

关 键 词:半导体激光器  三维温度分布  稳态  隧道再生
文章编号:1001-5868(2008)02-0177-04
修稿时间:2007年7月31日

Three Dimension Thermal Characteristic Analysis of Tunnel Regeneration Semiconductor Laser
ZHANG Lei,CUI Bi-feng,GUO Wei-ling,WANG Zhi-qun,SHEN Guang-di.Three Dimension Thermal Characteristic Analysis of Tunnel Regeneration Semiconductor Laser[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(2):177-180.
Authors:ZHANG Lei  CUI Bi-feng  GUO Wei-ling  WANG Zhi-qun  SHEN Guang-di
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号