SiO_2/Si界面金电荷效应随固定氧化层电荷的变化

作者们指出,与金原子互作用使原有界面正电荷减少的界面缺陷中,引起固定氧化层电荷Q_(?)(=qN_(o2)的这种类型占有较大的比重。该类型一般认为是氧空位。如果保持界面金原子浓度一定,通过退火等工艺措施使固定氧化层电荷(氧空位)密度N_(ox)变化,则它们反应所生的负电性金密度N_(Au)也将有相应的变化。我们把能引起N_(ox)灵敏变化的SiO_2薄膜的生长温度和于氧下的退火温度作为调变参数,在实验上观察了这种对应的变化。