| 1.3μm注入锁定半导体激光器及其远场特性 |
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| 引用本文： | 徐建华 张位在. 1.3μm注入锁定半导体激光器及其远场特性[J]. 光学学报, 1995, 15(2): 57-160 |
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| 作者姓名： | 徐建华 张位在 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
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| 摘 要： | 报道了利用１．３μｍ分布反馈（ＤＦＢ）半导体激光器注入锁定普通半导体激光器后的模式及其远场分布特性实验。在不加隔离器和主被协激光器偏振方向相互垂直的情况下，获得了静态和动态单纵模运转，并观察和测量了普通半导体激光器注入锁定前后输出光的远场分布，最后对实验结果进行了讨论。
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| 关 键 词： | 注入锁定 半导体激光器 远场特性 |
| 收稿时间： | 1994-09-20 |
Injection Locking and Far-Field Distribution of 1.3 μm Semiconductor Lasers |
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| Xu Jianhua, Zhang Weizai, Ding Hao, Gan Fuxi. Injection Locking and Far-Field Distribution of 1.3 μm Semiconductor Lasers[J]. Acta Optica Sinica, 1995, 15(2): 57-160 |
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| Authors: | Xu Jianhua Zhang Weizai Ding Hao Gan Fuxi |
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| Abstract: | The injection-locking experiments of a slave semiconductor laser by a 1. 3 μmDFB master laser diode and its far-field distribution measurement are reported for the firsttime. The static and dynamic single-mode operation have been obtained when a isolator isnot used and specially the polarization of the master and slave laser is perpendicular, atlast the results are discussed. |
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| Keywords: | injection locking dynamic single mode far-field distribution. |
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