取代基电性效应对碳硅还原消除区域选择性调控的理论研究 |
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作者姓名: | 彭菊 何晓倩 廖黎丽 白若鹏 蓝宇 |
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作者单位: | 1. 重庆大学化学化工学院理论与计算化学重庆市重点实验室;2. 郑州大学化学学院绿色催化中心 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(Nos.22003006,22201027,22271034);;中国博士后科学基金(No.2021M700578)资助项目~~; |
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摘 要: | 有机反应区域选择性的调控是有机化学的重要研究内容之一,而电性效应则是其重要调控因素.运用密度泛函理论计算,以钯催化2-碘联苯化合物与硅杂环丁烷的环化反应为模板,研究了取代基电性效应在还原消除过程中对区域选择性的影响,并给出了该反应的详细反应机理.计算结果表明,该反应经历了Pd—I键氧化加成、协同金属去质子、Pd—Si键氧化加成、还原消除过程得到硅杂八元环产物,且C—Si键还原消除是反应的速率决定步骤.对Pd(IV)还原消除过渡态中电子效应的研究证明,当使用不对称2-碘联苯作为反应底物时,芳环电子密度是区域选择性的主要控制因素,电子密度更高的基团更容易发生还原消除,与该基元反应电子流向一致.
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关 键 词: | 电性效应 区域选择性 还原消除 密度泛函理论 |
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