| 二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元 |
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| 引用本文： | 张其震,刘建强,殷晓颖,张静智,季怡萍,赵晓光,李光. 二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元[J]. 化学学报, 2003, 61(3) |
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| 作者姓名： | 张其震 刘建强 殷晓颖 张静智 季怡萍 赵晓光 李光 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学化学化工学院,济南,250100
2. 中国科学院长春应用化学研究所,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院重点实验室基金，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.
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| 关 键 词： | 树状化合物 液晶 向列相 高强向错 碳硅烷 第二代 4-丁氧基偶氮苯 |
Study on a Carbosilane Liquid Crystalline Dendrimer of the Second Generation Ⅰ. Containing Thirty-six 4-Butoxyazobenzene Groups in Its Periphery |
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