| 一种高压集成电容结构的可靠性研究 |
| |
| 引用本文： | 王坤,谭开洲,唐昭焕,殷万军,罗俊,黄磊,王斌.一种高压集成电容结构的可靠性研究[J].微电子学,2014(1):115-117,126. |
| |
| 作者姓名： | 王坤 谭开洲 唐昭焕 殷万军 罗俊 黄磊 王斌 |
| |
| 作者单位： | 重庆邮电大学, 重庆 400065;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060;重庆邮电大学, 重庆 400065;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
| |
| 摘 要： | 针对一种下极板独立的700 V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200 ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124 μm；同时,还得出一系列上升沿时间小于200 ns的电容结构下极板最大可靠宽度。
|
| 关 键 词： | 高压集成电路 电容 可靠性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《微电子学》下载免费的PDF全文 |
|
