| GaN基半导体新热点:从半导体照明到功率电子器件 |
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| 引用本文： | 沈波. GaN基半导体新热点:从半导体照明到功率电子器件[J]. 光学与光电技术, 2015, 13(1): 9-13 |
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| 作者姓名： | 沈波 |
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| 作者单位： | 北京大学宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家973计划(2012CB619300)资助项目 |
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| 摘 要： | Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。
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| 关 键 词： | 半导体 禁带 半导体照明 功率电子器件 |
| 收稿时间： | 2014-11-10 |
New Hotpoints of GaN-based Wide Bandgap Semiconductors:from Solid State Lighting to Power Electronic Devices |
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| SHEN Bo. New Hotpoints of GaN-based Wide Bandgap Semiconductors:from Solid State Lighting to Power Electronic Devices[J]. optics&optoelectronic technology, 2015, 13(1): 9-13 |
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| Authors: | SHEN Bo |
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| Affiliation: | SHEN Bo;Peking University Research Center for Wide Bandgap Semiconductor,State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor band gap semiconductor lighting power electronic devices |
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