|
|||||
|
|
| CeO2 掺杂BNLKT陶瓷的压电性能与微观结构 | |
| 引用本文： | 廖运文,赁敦敏,肖定全,魏群,庄严,朱建国,余萍.CeO2 掺杂BNLKT陶瓷的压电性能与微观结构[J].压电与声光,2006,28(5):554-556. |
| 作者姓名： | 廖运文 赁敦敏 肖定全 魏群 庄严 朱建国 余萍 |
| 作者单位： | 1. 四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;西华师范大学,应用化学研究所,四川,南充,637002 2. 四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064 3. 广州杰赛科技股份有限公司,广东,广州,510310 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大国际合作基金资助项目(50410179)，教育部博士点基金资助项目(20030610035) |
| 摘 要： | 利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO2掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明,掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3钙钛矿结构的晶格;SEM观察结果表明,少量的CeO2掺杂可改进该陶瓷的微结构;介电压电性能研究结果表明,CeO2掺杂对该陶瓷体系的综合性能有较大改善,室温下该体系配方的压电常数d33可达199 pC/N,径向机电耦合系数kp达39.3%,同时降低了陶瓷的介电损耗(tanδ=2.0%),提高了其机械品质因数。 |
| 关 键 词： | 无铅压电陶瓷 Bi_(0.5)(Na-(1-x-y)Li_xK-y)_(0.5)TiO_3 CeO-2掺杂 压电常数 机电耦合系数 |
| 文章编号： | 1004-2474(2006)05-0554-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-29 |
| 修稿时间： | 2005年8月29日 |
Piezoelectric Properties and Microstructure of CeO2-doped BNLKT Lead-free Piezoelectric Ceramics |
|
| LIAO Yun-wen,LIN Dun-min,XIAO Ding-quan,WEI Qun,ZHUANG Yan,ZHU Jian-guo,YU Ping.Piezoelectric Properties and Microstructure of CeO2-doped BNLKT Lead-free Piezoelectric Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2006,28(5):554-556. | |
| Authors: | LIAO Yun-wen LIN Dun-min XIAO Ding-quan WEI Qun ZHUANG Yan ZHU Jian-guo YU Ping |
| Institution: | 1. Dept. of Materials Science , Sichuan University , Chengdu 610064, China;2. GCI Science and Technical Co. Ltd. , Guangzhou 510310, Chinas;3. Institute of Applied Chemistry, China West Normal University, Nanchong 637002, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | lead-free piezoelectric ceramics Bi_(0 5)(Na_(1-x-y)Li_xK_y)_(0 5)TiO_3 CeO_2-doping piezoelectric constant electromechanical coupling factor |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |