基于有机/无机双层忆阻器的人工光电神经元

提出了一种基于Ag/IDTBT/ZnO/Si忆阻器的人工神经元器件，该器件开关比约为102～103且有较低的工作电压。该器件能够模拟泄漏集成点火的神经元模型。此外，研究了IDTBT浓度对人工神经元器件性能的影响。结果表明：IDTBT浓度的增加会导致薄膜厚度的增加，进而会使得神经元器件的阈值电压升高以及积分点火所需要的幅值电压变大。当有光照射之后，器件的阈值电压会明显降低。在器件储存了30天后重新测试，器件性能没有明显的变化，说明该器件具有良好的稳定性。本工作为促进神经形态系统的发展提供了有效的策略。