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| 光致诱蚀无显影气相光刻（DFVP）作用机理及其应用 | |
| 引用本文： | 王培清,卢建平.光致诱蚀无显影气相光刻（DFVP）作用机理及其应用[J].半导体技术,1995(2):13-15. |
| 作者姓名： | 王培清 卢建平 |
| 作者单位： | 清华大学 |
| 摘 要： | 大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件，光致诱蚀无显影气相ＤＦＶＰ光刻具有分辨高、钍孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上节约等优点。因此将ＤＦＶＰ运用于晶闸管器件的生产具有重要的意义。研究的技术关键是要解决厚ＳｉＯ２层的刻蚀、刻蚀的曝光量及速度问题。本课题对ＤＦＶＰ机理作了进一步研究，从而研究了两种新的光致诱蚀剂；已大大缩短曝光时间（约１分钟），并能刻蚀含杂质镓且厚达１．４μｍ的ＳｉＯ２ |
| 关 键 词： | 光致诱蚀 无显影 气相光刻 二氧化硅层 |
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