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| 激光器件 半导体激光器 | |
| 摘 要： | TN248.42006010122InGaAsP单量子阱激光器热特性研究=Thermal charac-teristics of InGaAsP SQWlasers[刊,中]/张永明(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),钟景昌…∥半导体光电.—2005,26(4).—291-293从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究。实验表明,在23~70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37W,斜率效率由1.06W/A降到0.47W/A。实验测得其特征温度T0为321K。激流波长随温度的漂移为0.45nm/℃,其芯片的热阻为2.… |
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