KTP晶体中一种特殊缺陷的研究 |
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作者姓名: | 田亮光 姜小龙 李润身 许顺生 刘耀岗 |
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作者单位: | (1)山东大学晶体材料研究所,济南,250100; (2)中国科学院上海冶金研究所,上海,200050 |
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基金项目: | 山东大学晶体材料研究所国家重点实验室资助的课题 |
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摘 要: | 研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。
关键词:
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关 键 词: | KTP晶体 缺陷 倍频效率 激光 |
收稿时间: | 1990-04-19 |
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