简立方格子上界面的自旋S(1)反铁磁Ising模型研究 |
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引用本文: | 吴银忠,王养璞.简立方格子上界面的自旋S(1)反铁磁Ising模型研究[J].低温物理学报,1994(4). |
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作者姓名: | 吴银忠 王养璞 |
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作者单位: | 苏州大学物理系 |
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摘 要: | 本文依据文献[1]用自旋S(1)Ising模型研究了具有近邻(J1)和次近邻(RJ1)相互作用的简立方格子的(100)、(110)和(111)界面性质.在体内为反铁磁相互作用下,分析了界面的基态,并用M-C方法计算了界面的低温性质,给出了SC格子的三类T-R界面相图,由此讨论了二类界面相变(宏观刻面和粗化)及其在氯化钠晶体界面上的应用.
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