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| 结构改进的高压VDMOS功率晶体管 | |
| 作者姓名： | 孔德 平 王锡祺 |
| 作者单位： | 东南大学电子系，东南大学电子系，宜兴市半导体厂，宜兴市半导体厂 210028 南京，210028 南京，214204，214204 |
| 摘 要： | 本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。 |
| 关 键 词： | 功率晶体管 晶体管 VOMOS |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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