| 半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究 |
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| 引用本文： | 黎华,韩英军,谭智勇,张戎,曹俊诚. 半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究[J]. 物理学报, 2010, 59(3): 2169-2172 |
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| 作者姓名： | 黎华 韩英军 谭智勇 张戎 曹俊诚 |
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| 作者单位： | 信息功能材料国家重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（批准号：2007CB310402），国家自然科学基金（批准号：60721004，60606027）、中科院重要方向项目（批准号：KGCX2-YW-231），中科院重大基金和“百人计划”资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹（THz）量子级联激光器（QCL）有源区结构，研究了半绝缘等离子体波导THz QCL的器件工艺，采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性.器件激射频率为32 THz，10 K下的阈值电流密度为275 A/cm2.关键词：太赫兹量子级联激光器波导器件工艺
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| 关 键 词： | 太赫兹 量子级联激光器 波导 器件工艺 |
| 收稿时间： | 2009-05-31 |
| 修稿时间： | 2009-07-08 |
Device fabrication of semi-insulating surface-plasmon terahertz quantum-cascade lasers |
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| Li Hua,Han Ying-Jun,Tan Zhi-Yong,Zhang Rong,Cao Jun-Cheng. Device fabrication of semi-insulating surface-plasmon terahertz quantum-cascade lasers[J]. Acta Physica Sinica, 2010, 59(3): 2169-2172 |
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| Authors: | Li Hua Han Ying-Jun Tan Zhi-Yong Zhang Rong Cao Jun-Cheng |
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| Abstract: | The active region of GaAs/AlGaAs bound-to-continuum terahertz quantum-cascade laser (THz QCL) is grown by gas-source molecular beam epitaxy. The device fabrication process of semi-insulating surface-plasmon THz QCL is studied in detail. The electrical and optical characteristics of the fabricated THz QCL device are measured using a far-infrared Fourier transform infrared spectrometer with a deuterated triglycerine sulfate far-infrared detector. At 10 K,the measured lasing frequency is 3.2 THz and the thresh... |
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| Keywords: | terahertz quantum-cascade laser waveguide device process |
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