| 自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算 |
| |
| 引用本文： | 李统藏,刘之景,王克逸.自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算[J].物理学报,2003,52(11):2912-2917. |
| |
| 作者姓名： | 李统藏 刘之景 王克逸 |
| |
| 作者单位： | (1)中国科学技术大学近代物理系，合肥 230026; (2)中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，合肥 230027 |
| |
| 基金项目： | 中国科学技术大学物理系在读学生. |
| |
| 摘 要： | 对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算.所得结果与最新实验结果相符，并发现偏压适中、绝缘层较厚时 有较大的电流自旋极化率，偏压很小时电流自旋极化率几乎为零.
关键词：
自旋极化电子注入
Slonczewski模型
隧道磁电阻
非零偏压
|
| 关 键 词： | 自旋极化电子注入 Slonczewski模型 隧道磁电阻 非零偏压 |
| 文章编号： | 1000-3290/2003/52(11)/2912-06 |
| 收稿时间： | 2003-01-17 |
| 修稿时间： | 2003年1月17日 |
Calculations of the spin-polarization of the electronic current injected from a ferromagnetic metal into a semiconductor |
| |
| Li Tong-Cang,Liu Zhi-Jing and Wang Ke-Yi.Calculations of the spin-polarization of the electronic current injected from a ferromagnetic metal into a semiconductor[J].Acta Physica Sinica,2003,52(11):2912-2917. |
| |
| Authors: | Li Tong-Cang Liu Zhi-Jing and Wang Ke-Yi |
| |
| Abstract: | In this paper, we calculate the relationships both between the width of the tunnel barrier and the spin-polarization(SP) of the electronic current when it is injected from a ferromagnetic metal into a semiconductor through a tunnel barrier and between the bias and SP. The results agree with the latest experimental results. We found that a moderate bias and tunnel barrier width allow a giant SP and there is little spin injection at very low bias. |
| |
| Keywords: | electronic spin injection Slonczewski model tunneling magnetresist ence none zero bias |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
