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| Ⅱ－Ⅵ族半导体研究概观 | |
| 引用本文： | 任天令,朱嘉麟,熊家炯,张春波,陈曦.Ⅱ－Ⅵ族半导体研究概观[J].物理,1996(11). |
| 作者姓名： | 任天令 朱嘉麟 熊家炯 张春波 陈曦 |
| 作者单位： | 清华大学现代应用物理系 |
| 基金项目： | 国家“863”计划资助项目 |
| 摘 要： | 回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益；（４）量子线、量子点及稀磁半导体。 |
| 关 键 词： | Ⅱ－Ⅵ族半导体，p型掺杂，欧姆接触，稀磁半导体 |
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