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其它——DⅢ-D装置高约束等离子体大幅度ELM抑制的模拟研究
引用本文:严龙文 T.E.Evans.其它——DⅢ-D装置高约束等离子体大幅度ELM抑制的模拟研究[J].核工业西南物理研究院年报,2005(1):144-146.
作者姓名:严龙文  T.E.Evans
作者单位:[1]不详 [2]通用原子公司,圣地亚哥,CA92697,美国
基金项目:中美聚变在流体等离子体模拟之间合作研究的资助项目(DE-FC02-04ER54698)感谢通用原子公司的黄布正博士安排了这次合作.
摘    要:高的边缘压强梯度的H模放电可提高将来聚变反应堆的经济可行性,然而高的边缘压强梯度容易产生ELM不稳定性,它通常能把大的粒子和热负荷排到偏滤器靶板,这些ELM模限制了芯部等离子体性能和降低了偏滤器靶板的寿命。为了维持稳态的高性能等离子体,横越等离子体边界的粒子和热输运能用于粒子和杂质分布控制,因此,任何消除或者缓解大而快的ELM脉冲技术必须用另一个慢的输运过程来代替瞬时的粒子和热输运,这种技术在ITER这样的燃烧等离子体装置中是高度优先的。

关 键 词:ELM抑制  随机磁边界  3维追踪
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