| GaS/GaAs界面电学性质研究 |
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| 引用本文： | 陈溪滢,丁训民,张胜坤,张博,陆方,曹先安,朱炜,侯晓远.GaS/GaAs界面电学性质研究[J].物理学报,1997,46(3):612-617. |
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| 作者姓名： | 陈溪滢 丁训民 张胜坤 张博 陆方 曹先安 朱炜 侯晓远 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金和国家杰出青年科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 报道了微波放电法在GaAs表面生长GaS薄膜．用电容 电压法（C-V）、伏安法（I-V）以及深能级瞬态谱（DLTS）等测试手段对GaS/GaAs界面的电学性质进行了研究．GaS/GaAs界面的CV特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为1012/（cm2·eV）．DLTS的测试得到了与其一致的结果．另外，从I-V曲线中漏电流的大小，估算出GaS的电阻率为1011Ω·cm
关键词：
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| 关 键 词： | 砷化镓器件 硫化镓 界面电学性质 薄膜 |
| 收稿时间： | 8/8/1996 12:00:00 AM |
STUDIES OF ELECTRONIC PROPERTIES OF GaS/GaAs INTERFACE |
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| CHEN XI-YING,DING XUN-MIN,ZHANG SHENG-KUN,ZHANG BO,LU FANG,CAO XIAN-AN,ZHU WEI and HOU XIAO-YUAN.STUDIES OF ELECTRONIC PROPERTIES OF GaS/GaAs INTERFACE[J].Acta Physica Sinica,1997,46(3):612-617. |
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| Authors: | CHEN XI-YING DING XUN-MIN ZHANG SHENG-KUN ZHANG BO LU FANG CAO XIAN-AN ZHU WEI and HOU XIAO-YUAN |
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| Abstract: | A novel passivation film on GaAs surface has been grown by microwave sulfur glow discharge technique.Electronic properties of GaS/GaAs interface have been studied by C-V,I-V, and DLTS measurements.C-V measurement shows that the properties of GaS/GaAs interface are nearly ideal and interface state density is about 1012／（cm2·eV),which agrees with result from DLTS measurement.From leak current of MIS′s structure in I-V spectra,the resistivity of GaS is estimated about 1011Ω·cm. |
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| Keywords: | |
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