| Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究 |
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| 引用本文： | 班大雁,方容川,杨风源,徐世宏,徐彭寿,袁诗鑫.Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究[J].物理学报,1997,46(3):587-595. |
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| 作者姓名： | 班大雁 方容川 杨风源 徐世宏 徐彭寿 袁诗鑫 |
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| 作者单位： | (1)中国科学技术大学国家同步幅射实验室; (2)中国科学技术大学物理系; (3)中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnSe（100）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ge原子与Se原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为1.76±0.1eV．用界面键极性模型对ZnSe（100）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论，理论与实验符合较好
关键词：
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| 关 键 词： | 半导体 异质结 光电子能谱 有带 同步辐射 锗 |
| 收稿时间： | 1995-11-01 |
VALENCE BAND OFFSETS OF Ge/ZnSe(100) STUDIED BY SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION |
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| BAN DA-YAN,FANG RONG-CHUAN,YANG FENG-YUAN,XU SHI-HONG,XU PENG-SHOU and YUAN SHI-XIN.VALENCE BAND OFFSETS OF Ge/ZnSe(100) STUDIED BY SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION[J].Acta Physica Sinica,1997,46(3):587-595. |
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| Authors: | BAN DA-YAN FANG RONG-CHUAN YANG FENG-YUAN XU SHI-HONG XU PENG-SHOU and YUAN SHI-XIN |
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| Abstract: | The band lineup of a Ge/ZnSe(100) polar interface has been studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy.Surface sensitive core level spectra indicate that Ge atoms in the overlayer can react with Se atoms at the interface.The valence band offset of this heterojunction has been obtained using core level techniques,and found to be 1.76±0.1eV.The effect of polar surface ZnSe(100) on the valence band offset has been discussed in light of the interface bond polarity model.The experimental results agree well with the theory. |
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