| 微波放电法生长GaS薄膜的性质 |
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| 引用本文： | 陈溪滢,曹先安,丁训民,侯晓远,陈良尧,赵国庆. 微波放电法生长GaS薄膜的性质[J]. 物理学报, 1997, 46(4): 826-832 |
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| 作者姓名： | 陈溪滢 曹先安 丁训民 侯晓远 陈良尧 赵国庆 |
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| 作者单位： | (1)复旦大学半导体物理实验室; (2)复旦大学物理二系; (3)复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 报道了微波放电法在GaAs表面与Al金属片上生长GaS薄膜．用俄歇电子能谱（AES）和卢瑟福背散射能谱（RBS）分析了薄膜的成分，X射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的GaS薄膜是属于六方晶系的多晶材料．此外，用椭圆偏振光谱测定了GaS薄膜的折射率以及由金属/绝缘体/金属（MIM）结构的电容值得到GaS薄膜的介电常数关键词：
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| 关 键 词： | 硫化镓 薄膜生长 微波放电法 半导体 |
| 收稿时间： | 1996-05-06 |
PROPERTIES OF GaS GROWN BY MICROWAVE-GLOW DISCHARGE |
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| CHEN XI-YING,CAO XIAN-AN,DING XUN-MIN,HOU XIAO-YUAN,CHEN LIANG-YAO and ZHAO GUO-QING. PROPERTIES OF GaS GROWN BY MICROWAVE-GLOW DISCHARGE[J]. Acta Physica Sinica, 1997, 46(4): 826-832 |
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| Authors: | CHEN XI-YING CAO XIAN-AN DING XUN-MIN HOU XIAO-YUAN CHEN LIANG-YAO ZHAO GUO-QING |
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| Abstract: | A novel passivation film on GaAs surface has been grown by microwave sulfur glow discharge technique.Auger electron spectroscopy and Rutherford back scattering measurements show that the film is mainly composed of sulfur and gallium,and atomic ratio of gallium to sulfur is about 1∶1.From X-ray diffraction spectroscopy measurememt,GaS is identified to be hexagonal polycrystalline material.The refraction index and dielectric constant of GaS have also been determined. |
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| Keywords: | |
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