| 蓝宝石上横向外延GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 张帷,郝秋艳,景微娜,刘彩池,冯玉春.蓝宝石上横向外延GaN薄膜[J].半导体学报,2007,28(Z1):33-36. |
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| 作者姓名： | 张帷 郝秋艳 景微娜 刘彩池 冯玉春 |
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| 作者单位： | 张帷（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130;深圳大学光电研究所,广东光电子器件与系统省重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060）;郝秋艳（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130）;景微娜（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130;深圳大学光电研究所,广东光电子器件与系统省重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060）;刘彩池（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130）;冯玉春（深圳大学光电研究所,广东光电子器件与系统省重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060） |
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| 基金项目： | 世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金(批准号:E2005000042)资助项目Project supported by the Program for New Century Excellent Talents in University and the Natural Science Foundation of Hebei Province (NO.E2005000042) |
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| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.
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| 关 键 词： | GaN 横向外延 金属有机物气相外延 (0001)蓝宝石衬底 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0033-04 |
| 修稿时间： | 2006年12月20 |
Epitaxial Lateral Overgrowth of Gallium Nitride on Sapphire |
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| Keywords: | GaN epitaxial lateral overgrowth MOCVD c-plane (0001) sapphire substrate |
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