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| ZnSe的无氩快速生长及掺Ⅲ族元素的电致发光 | |
| 引用本文： | 胡德良.ZnSe的无氩快速生长及掺Ⅲ族元素的电致发光[J].半导体光电,1979(2). |
| 作者姓名： | 胡德良 |
| 作者单位： | 四室硒化锌组 |
| 摘 要： | 前言宽禁带Ⅱ—Ⅵ族化合物 ZnSe,是一种有希望制成高效率多色发光管的材料,在固体显示方面具有重要的价值。除此之外,它还是制作短波长激光器、激光屏及光波导开关的材料。近年来,已能用升华法、化学输送法和高温高压法较成功地生长出 ZnSe 晶体。在器件制作上,长期面临的 P—N 结制作和欧姆接触制备的困难,已有了可喜的进展。MS 结、MIS结和各种异质结结构 LIED 的研究也正在进行中。室温下多种结构兰色 LED 已经出现, |
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