I_t和Q_t法测量MOS结构少子寿命和表面产生速度 |
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引用本文: | I_t和Q_t法测量MOS结构少子寿命和表面产生速度[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 1984, (1): 1. |
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作者姓名: | 梁国芹 |
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摘 要: | 本文介绍的测量MOS结构少数载流子寿命(τg)和表面产生速度(S)的I—t和Q—t法,其基本理论建立在C·R·Viswanathan的Q—t法的基础上.用国产仪器装备而成I—t和Q—t测量装置.本法在实验数据处理上较Q—t法简便而计算结果也更为准确.本法的测量结果与C—t法的测量结果有较好的吻合.
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