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基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器
引用本文:郑小秋,吕燕伍.基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器[J].北京交通大学学报(自然科学版),2005,29(6):46-50.
作者姓名:郑小秋  吕燕伍
作者单位:北京交通大学,理学院,北京,100044;北京交通大学,理学院,北京,100044
摘    要:给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(~90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K.

关 键 词:量子级联激光器  氮化物半导体  有效质量理论  光学声子散射
文章编号:1673-0291(2005)06-0046-05
收稿时间:2004-10-29
修稿时间:2004年10月29日

Far-Infrared Quantum Cascade Lasers Based on Nitride Semiconductor Materials
ZHENG Xiao-qiu,LU Yan-wu.Far-Infrared Quantum Cascade Lasers Based on Nitride Semiconductor Materials[J].JOURNAL OF BEIJING JIAOTONG UNIVERSITY,2005,29(6):46-50.
Authors:ZHENG Xiao-qiu  LU Yan-wu
Institution:School of Sciences, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China
Abstract:
Keywords:quantum cascade laser  nitride semiconductor  effective mass theory  optical phonon scattering
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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