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拉晶条件对单晶中氧含量及其分布的影响
引用本文:
孙伯祥,王耀华.拉晶条件对单晶中氧含量及其分布的影响[J].微电子技术,1995(4).
作者姓名:
孙伯祥
王耀华
作者单位:
中国华晶电子集团公司硅材料工厂!无锡,214061
摘 要:
本文主要讨论了控制单晶中氧含量的重要性,分析了拉晶条件与硅单晶中氧含量分布情况之间的关系,实验结果得出:改变拉单晶的转速、坩锅的转速对单晶中氧含量的多少及分布有较大的影响,而拉晶的速度对之影响较小。
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