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30MeV电子直线加速器脉冲中子注量率及剂量当量率的测定
引用本文:李建平,吴靖民,刘曙东,唐鄂生.30MeV电子直线加速器脉冲中子注量率及剂量当量率的测定[J].中国物理 C,1987,11(3):314-320.
作者姓名:李建平  吴靖民  刘曙东  唐鄂生
作者单位:中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所
摘    要:电子直线加速器的辐射场特点, 要求探测器在窄脉冲辐射场中有正确的剂量响应, 较高的n、γ分辨能力和抗电磁干扰能力. 本文中采用In活化探测器测量脉冲中子, 它能满足上述三点要求, 是一种可靠的方法. 此外, 该探测器结构简单, 造价低廉, 便于大量使用. 我们用它测定了30MeV电子直线加速器屏蔽墙内外中子注量率及剂量当量率的分布. 同时与TLD测量结果进行了比较. 最后, 讨论了轫致辐射的高能光子对In发生的光核反应生成的活性对探测器的n、γ分辨能力的影响.

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