| CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化 |
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| 引用本文： | 陈维德,金高龙,崔玉德,段俐宏,高志强.CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化[J].物理学报,1995(8). |
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| 作者姓名： | 陈维德 金高龙 崔玉德 段俐宏 高志强 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院表面物理国家重点实验室 北京100083中国科学院表面物理国家重点实验室，北京100080，北京100083中国科学院表面物理国家重点实验室，北京100080，北京100083中国科学院表面物理国家重点实验室，北京100080，北京100083中国科学院表面物理国家重点实验室，北京100080，北京100080中国科学院物理研究所，北京100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题 |
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| 摘 要： | 利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.
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